满足您测试要求的贺利氏解决方案

探针材料

晶圆测试(又称 EDS - 电子芯片分选)是任何半导体结构和工艺技术生产过程中的一个基本步骤。更具体地说,在集成电路制造完成后,从晶圆分离之前,要根据特定的电气测试模式对所有单个电气触点进行功能缺陷测试

满足您测试需求的贺利氏解决方案

贺利氏提供从沉淀硬化钯银铜合金到高强度铂镍合金等多种探针材料。贺利氏生产的探针材料可应用于任何类型的探针卡:从悬臂式到垂直式,再到 微机电系统 (MEMS)及各种要求高质量标准的先进探针卡

50多年来,贺利氏一直引领着半导体行业定制高性能材料的生产。除了多年的经验,贺利氏还是您的合作伙伴,为您的应用确定和加工最佳材料。此外,客户还可从载流能力(CCC)/最大允許電流 (MAC)测试和表面分析中获益

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产品优势

1. 我们熔化您所需的合金

  • 通过不同直径和淬火工艺的组合,可根据您的要求调整材料特性
  • 多种可供选择的材料,为您的应用选择最适合的材料
  • 出色的导电性和机械特性可实现持久可靠的探头性能
  • 尺寸稳定性极强的材料,具有高强度、高弹性和耐热性,可用于制造非常精确的探针

2. 从合金到超细线,我们可根据您的需求定制产品

  • 为您的应用选择和调整合适的材料和配置提供支持性建议。
  • 始终如一的高标准质量和快速交付时间
  • 从采购到制造再到回收的整个贵金属周期

3. 我们为您的新一代测试设备创新材料

  • 材料专业知识、应用和制造技术的独特组合
  • 在贺利氏内部实验室进行机械/电气测试(CCC/MAC)和表面分析的广泛可能性

Palysium

Palysium 是贺利氏专为半导体测试应用开发的合金。由于其独特的超晶格结构,Palysium 具有极高的导电率(比 PdAgCu 市场标准 Hera 6321 高 2.5 倍),同时还具有优异的弹簧特性和加工能力,可加工直径达 15 μm 的金属丝。

Heraeus: Benefits of Palysium

这样就能生产出非常精确和更小的针截面,从而可以对更小的间距进行可靠的测试,因为在相同的截面积下可以传输更多的电流。同时,在相同的电流下,针可以大大缩小,这对间距、针数和测试平行度都有积极影响。

*ISMI 基准,直径 41µm,长度 8mm,平头和平尾,OT 75µm,偏移 250µm,电流循环时间 120s,循环间歇时间 10s: 直径 41µm,长度 8mm,平头和平尾,OT 75µm,偏移 250µm,电流循环时间 120s,循环间歇时间 10s,室温
*ISMI 基准,直径 41µm,长度 8mm,平头和平尾,OT 75µm,偏移 250µm,电流循环时间 120s,循环间歇时间 10s: 直径 41µm,长度 8mm,平头和平尾,OT 75µm,偏移 250µm,电流循环时间 120s,循环间歇时间 10s,室温

为您的半导体测试应用量身定制的特种合金

从标准材料到先进合金的新型冶金解决方案,开发的重点都是良好的弹簧性能、高导电性和高耐用性,以及可根据个性化要求调整的机械性能。

 

 

Hera 648

Hera 6321

Palysium
Hera 6307

Hera 1206

Hera 5270

主要成份 [wt%] Pd35 Ag30 Au10 Pt10 Pd39 Ag29 Pd52 Ag11 Pt Ni31.5 Rh dot
密度 [g/cm-3] 11.8 10.4 10.5 15.1 12.4
楊氏模數 [GPa] 108 112 120 234 330
屈服強度 [MPa] 1050 - 1350 1100 - 1600 1250 - 1450 1500 - 1900 1900 - 2500
極限拉伸強度 [MPa] 1100 - 1400 1200 - 1700 1300 - 1500 1600 - 2000 2100 - 2700
硬度 [HV] 330 - 400 400 - 450 400 - 500 400 - 490

最高530

導熱系數 [W/mK] 28 66 144   150
電阻率 [μ0hm*cm] 35.9 - 33.2 21.3 - 12.3 7.2 - 6.4 41.0 - 33.2 5.7 - 5.4
國際退火銅標準 [%] 4.8 – 5.2 8.1 – 14.0 24 - 27 4.2 – 5.2 30 - 32
载流能力 [mA]   380 590   650
最大允許電流 [mA]   290 506   540
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所提供的所有信息均用于产品比较,并可根据客户要求进行调整。

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